도시바, 급속 충전 장치에 적합한 매우 낮은 온 저항의 작고 얇은 공통 드레인 MOSFET 출시

2023-05-19 10:45 출처: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (도쿄증권거래소 6502)

매우 낮은 온 저항의 작고 얇은 공통 드레인 MOSFET인 도시바의 SSM14N956L (그래픽: 비즈니스와이어)

가와사키, 일본--(뉴스와이어)--도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)(“도시바”)가 “SSM14N956L”을 출시했다. 모바일 장치용 배터리팩과 같은 리튬 이온(Li-ion) 배터리팩의 배터리 보호 회로에 사용되는 정격 전류 20A의 12V 공통 드레인 N 채널 MOSFET이다. 배송은 오늘부터 시작된다.

리튬 이온 배터리팩은 매우 견고한 보호 회로를 사용하여 충전 및 방전 중에 열 발생을 줄이고 안전을 향상시킨다. 이러한 회로에는 저전력 소비 및 고밀도 패키징이 필수이기 때문에 작고 얇으며 낮은 온(On) 저항을 제공하는 MOSFET이 필요하다.

SSM14N956L은 이미 출시된 SSM10N954L과 마찬가지로 도시바의 마이크로 프로세스를 사용한다. 이로써 업계 최고 수준[1]의 낮은 온 저항 특성으로 인한 낮은 전력 손실과 업계를 선도하는[1] 낮은 게이트-소스 누설 전류 특성에 의해 실현되는 낮은 대기 전력을 모두 보장한다. 이러한 특성은 배터리 작동 시간을 연장하는 데 도움이 된다. 또한 신제품은 새로운 작고 얇은 패키지인 TCSPED-302701(2.74mm x 3.0mm, t = 0.085mm(표준))을 사용한다.

도시바는 리튬 이온 배터리팩으로 구동되는 장치의 보호 회로용 MOSFET 제품을 계속 개발할 예정이다.

애플리케이션

· 스마트폰, 태블릿, 보조 배터리, 웨어러블 장치, 게임 콘솔, 전동 칫솔, 콤팩트 디지털카메라, 디지털 SLR 카메라 등 리튬 이온 배터리팩이 장착된 가전제품 및 사무용 및 개인용 장치

특징

· 업계 최고 수준의[1] 낮은 온 저항: RSS(ON)=1.1mΩ (typ.) @VGS=3.8V

· 업계를 선도하는[1] 낮은 게이트-소스 누설 전류: IGSS=±1μA (max) @VGS=±8V

· 작고 얇은 유형의 TCSPED-302701 패키지: 2.74mm x 3.0mm, t=0.085mm(표준)

· 배터리 보호 회로에 쉽게 사용할 수 있는 공통 드레인 구조

주:

[1]: 동일한 정격을 가진 제품 중. 2023년 5월 기준 도시바 조사.

주요 사양

(표의 내용은 pdf 참조. 다운로드: https://bit.ly/3MHnCZ1)

신제품에 대한 자세한 내용은 아래 링크를 참조하십시오.

SSM14N956L (https://bit.ly/3MFE2AQ)

온라인 대리점에서 신제품의 가용성을 확인하려면 다음을 방문하십시오.

SSM14N956L

온라인 구매 (https://bit.ly/3pX85em)

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도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지 코퍼레이션 소개

고급 반도체 및 스토리지 솔루션의 일류 공급업체인 도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지 코퍼레이션은 반세기가 넘는 경험과 혁신을 통해 고객과 비즈니스 파트너에게 뛰어난 디스크리트 반도체, 시스템 LSI 및 HDD 제품을 제공한다.

전 세계에 근무하는 21,500명의 회사 직원은 제품 가치를 극대화한다는 의지를 공유하고 가치와 신규 시장의 공동 창조에 있어 고객과의 긴밀한 협력을 증진하고 있다. 현재 연간 매출이 8,000억 엔(미화 61억 달러)에 다가서고 있는 도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지 코퍼레이션은 모든 곳에서 사람들을 위해 더 나은 미래를 만들고 기여하고자 한다. 웹 사이트: https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

사진/멀티미디어 자료 : https://www.businesswire.com/news/home/53401946/en

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